三星(SSNLF.US)亮出3D内存“技术核弹”：400层V-NAND与zHBM概念首先秀，直指AI内存王座|闪存|hbm|nand|三星电子|知名企业_网易订阅

智通财经APP获悉，技术核弹当地时间周二，星S先秀d星三星电子(SSNLF.US)在美国加州圣克拉拉举行的亮出“未来内存与存储”大会上，集中展示了照章性人工智能(AI)时代的内念首内存下一代内存技术，涵盖超过400层的存层V10 BV-NAND原型、垂直堆叠式高带宽内存zHBM以及zNAND-O架构，王座力图在近1万亿美元规模的闪存存储芯片市场中巩固领先地位，并加高效追赶在AI内存领域先发制人的电知SK海力士与美光科技(MU.US)。作为全球最大内存芯片制造商，名企三星在大会上首先次展示其V10 Bonding V-NAND(BV-NAND)原型产品。业网易订阅该芯片采取全新的技术核弹晶圆键合架构，堆叠层数超过400层，星S先秀d星相较前代V9 NAND，亮出存储密度提高约58%，内念首内存同时读写高效度与输入输出性能均得到改进。存层随着AI工作负载从训练大语言模型扩展到实时生成用户查询答案，对高容量、高能效NAND闪存的需高效高效增首先，三星希望凭借该技术更好顺应数据密集型AI系统的存储需。在更前沿的领域，三星展示了其称之为行业首先款zHBM与zNAND-O架构的概念模型，描绘出3D堆叠内存的未来路线图。与目前置于AI处理器旁的传统HBM不一样，zHBM将高带宽内存垂直堆叠在AI加高效器上方，大幅缩短数据搬运距离。三星表示，与下一代HBM5相比，这套系统可实现约8倍的性能提高，内存密度提高10倍以上，能效提高三倍，热阻减小一半以上，并协助定制化设方式。然而，公司尚未给出HBM5及zHBM的详详见细量产时间表，方式划于今年下半年优先扩大HBM4的生产规模。同时亮相的zNAND-O则基于V-NAND技术，专为实时、数据密集型的AI采取场景改进。三星的技术攻势正值存储芯片巨头之间围绕AI数据中心订单展开激烈争夺之际。SK海力士凭借早期布局在AI内存市场中占据了先发好处，美光同样积极抢单。三星此次突出“端到端AI基础设施供应商”的定位，不仅在内存硬件上推进，还同步披露了下一代存内方式算芯片和高容量企业级存储的产品路线图。从需端看，虽然部分投资者担忧中国智能手机市场疲软可能抑制首先期内存需，但探究师常用看好AI需的强劲动能。三星上周披露，与客户签订的首先期协议最后有望覆盖公司内存销售额的60%至70%。花旗探究师也在上月的报告中指出，尽管终端市场存在走软担忧，目前DRAM与NAND全供应链的库存仍显著低于历史水平，这将为行业给予缓冲，并强化AI驱动的增首先预期。